目前DDR5內(nèi)存條頻率不斷破新高，且價(jià)格一路下探，對于想要組裝一臺(tái)PC或是升級電腦配置的玩家來說，這時(shí)候購入DDR5內(nèi)存條確實(shí)是個(gè)好時(shí)機(jī)。作為國內(nèi)為數(shù)不多的存儲(chǔ)領(lǐng)域上市公司的佰維，也在今年推出了全新的WOOKONG DX100 DDR5月光寶盒內(nèi)存條，擁有超大3倍發(fā)光面RGB燈效，它以突破性工藝駕馭特挑的海力士顆粒，是專為玩家傾力打造的電競優(yōu)品。至高可選7000MHz+高頻率，帶來低時(shí)序、低延遲、低電壓的超強(qiáng)綜合性能表現(xiàn)。

開箱：

佰維WOOKONG DX100 RGB內(nèi)存條的外包裝設(shè)計(jì)非常精美，采用了彩色硬殼抗震包裝，既簡約又時(shí)尚。除此之外，內(nèi)部包裝還有透明塑殼+泡棉，這種包裝方式能夠固定內(nèi)存條，防止其在運(yùn)輸過程中移動(dòng)或碰撞，讓玩家們在購買前后都能夠更加放心。并且，佰維官方為其提供終身質(zhì)保服務(wù)，免去玩家們的后顧之憂。

設(shè)計(jì)：

佰維WOOKONG DX100 RGB內(nèi)存條的外觀設(shè)計(jì)非常吸引人，它使用銀色的壓鑄鋁合金散熱片設(shè)計(jì)，線條簡練而剛硬，給人一種堅(jiān)固且時(shí)尚的感受。并且散熱馬甲內(nèi)部的3.0W/m.k 高導(dǎo)熱系數(shù)硅膠墊緊貼熱源，大大增強(qiáng)散熱速度，散熱效果更有保障。內(nèi)存條搭配兩側(cè)RGB燈條，帶來了光彩奪目的RGB視覺效果。

對于需要超頻的玩家來說，佰維WOOKONG DX100 RGB內(nèi)存條確實(shí)是一個(gè)非常不錯(cuò)的選擇。佰維 WOOKONG DX100 RGB內(nèi)存條采用了目前主流的海力士Adie顆粒，內(nèi)存顆粒都為精挑，具有更高的超頻潛力。筆者這款內(nèi)存的頻率是6800MHz，C34時(shí)序，它能夠在高負(fù)荷運(yùn)行時(shí)保持穩(wěn)定性和可靠性。

大面積的銀色搭配反光銀的散熱片在外觀上非常吸引眼球，尤其是在頂部設(shè)計(jì)的大面積RGB導(dǎo)光條，更是增添了獨(dú)特的視覺效果。不僅美觀，還能夠提供充足的燈光效果，讓整個(gè)PC看起來更加炫酷。燈條內(nèi)的高品質(zhì)燈珠能夠?qū)崿F(xiàn)無極調(diào)色，玩家們可以可以根據(jù)自己的喜好來調(diào)整燈光效果，讓整個(gè)PC更加符合自己的個(gè)人風(fēng)格。

佰維內(nèi)存條采用了超頻專用的10層PCB板堆疊設(shè)計(jì)，具備更強(qiáng)電氣性能，優(yōu)化信號傳輸，能夠承受更大電流。這三種特性在超頻時(shí)是非常重要的，因?yàn)樗梢詭椭鷥?nèi)存條在高頻下運(yùn)行的更加穩(wěn)定，從而提高超頻的成功率和穩(wěn)定性。并且在PCB上搭載了單面8顆的海力士原廠Adie顆粒，頻率6800MHz，時(shí)序?yàn)镃34。并且支持XMP 3.0技術(shù)，能夠提供更高效的數(shù)據(jù)傳輸和處理能力。此外，內(nèi)存條還加入了PMIC電源管理框架（不鎖電壓），這使得其能夠更好地控制內(nèi)存條的電源供應(yīng)，從而保證內(nèi)存條在運(yùn)行過程中的穩(wěn)定性和可靠性。

RGB燈效：

RGB燈效已經(jīng)成為PC硬件的一個(gè)重要組成部分，它為電腦外觀增添了更多的個(gè)性和魅力。佰維內(nèi)存條的超大3倍發(fā)光面RGB幻彩燈效設(shè)計(jì)非常出色，能夠根據(jù)內(nèi)存的使用情況變換色彩，這使得整個(gè)電腦外觀更加個(gè)性化，并且給玩家們帶來了全新的視覺體驗(yàn)。

未開機(jī)時(shí)內(nèi)存條與整機(jī)的搭配相當(dāng)協(xié)調(diào)

白天RGB燈效與亮度

夜晚RGB燈效與亮度

性能測試：

這次搭配的測試平臺(tái)來自英特爾第14代14900K CPU+ Z790二代主板平臺(tái)，這套配置可以充分發(fā)揮佰維WOOKONG DX100 RGB 內(nèi)存條的性能潛力，那么讓我們來看看這款內(nèi)存條的實(shí)際性能表現(xiàn)吧！

就超頻潛力而言，內(nèi)存條最重要的內(nèi)存顆粒。如果是追求極致性價(jià)比，那么我建議選擇海力士Adie顆粒的產(chǎn)品，比如佰維這款WOOKONG DX100 DDR5 RGB內(nèi)存條，就采用了海力士Adie顆粒，其顆粒最新的迭代版本為4.1。

在未開啟XMP的情況下，佰維內(nèi)存條在5600MHz起始頻率下的內(nèi)存測試中，讀取、寫入和復(fù)制帶寬分別是87497MB/s、77467MB/s、78685MB/s，內(nèi)存的延遲則為83.0ns。

我們先從最基礎(chǔ)的XMP（自動(dòng)超頻）開始，稍后再進(jìn)行手動(dòng)超頻。此處可用于我們內(nèi)存的XMP配置文件是6800MHz，具有34-45-45-108 DRAM時(shí)序和1.4V電壓。AIDA64內(nèi)存帶寬測試，讀取可達(dá)100.82GB/s，寫入為89752MB/s，復(fù)制為93878MB/s，內(nèi)存延遲為70.2ns。

通常而言，內(nèi)存廠商的XMP配置文件都是經(jīng)過了嚴(yán)苛的測試，是個(gè)相對來說較為穩(wěn)定的方案。而在對比開啟XMP前后的性能表現(xiàn)，大約有15%的性能提升。這對于不想折騰的新手玩家來說，在開啟XMP后，就可輕松體驗(yàn)到DDR5 6800Mhz頻率下帶來的高性能體驗(yàn)。

如果想更超一步，那么接下來則需要耐心調(diào)整時(shí)序、電壓、小參了，這是一個(gè)漫長的過程，需要耐心調(diào)整，就比如電壓給大或給小，都不一定能穩(wěn)定運(yùn)行，或無法開機(jī)。這里我建議將SA電壓設(shè)置為1.28V-1.3V，內(nèi)存Gear模式設(shè)置為1/2，停止內(nèi)存快速開機(jī)。VDDQ CPU電壓設(shè)置在1.38V到1.42V之間，VDD2 CPU電壓大概在1.42V-1.46V左右。內(nèi)存電壓VDD A0設(shè)置為1.55V-1.6V、VDDQ A0設(shè)置為1.55V-1.6V之間和VPP A0設(shè)置為1.9V。

在找到預(yù)期的最高且相對穩(wěn)定的頻率后再調(diào)整內(nèi)存的小參，那么這里我小超一下，測試8000MHz頻率下是否能穩(wěn)定，時(shí)序可設(shè)置為34-52-52-58。

經(jīng)過調(diào)整測試后，8000MHz頻率下能順利開機(jī)，能通過AIDA64的內(nèi)存測試，并且它的讀寫速度提升非常明顯，分別達(dá)到了124.41GB/s、121.50GB/s，延遲也降至57.4ns。但是，在AIDA64內(nèi)存跑分測試后，無法通過TM5內(nèi)存壓力測試。最終在不斷優(yōu)化VDDQ CPU電壓、VDDQ 內(nèi)存電壓后，8000Mhz頻率+CL34時(shí)序下TM5順利通過1us測試。

對比超頻前后，內(nèi)存帶寬大幅提升至122GB/s，讀取/寫入/復(fù)制性能（對比XMP）提升約有25-30%左右，延遲也大幅降至55ns。

對于大多數(shù)游戲和軟件來說，8000MHz的內(nèi)存頻率確實(shí)是非常高的了。然而在大多數(shù)情況下，較低的內(nèi)存頻率也不會(huì)對游戲性能產(chǎn)生太大的影響，因?yàn)橛螒虻男阅苤饕Q于CPU、顯卡、固態(tài)硬盤等多個(gè)因素的綜合表現(xiàn)。

當(dāng)然，對于一些特別需要高內(nèi)存頻率的大型游戲或者需要處理大量數(shù)據(jù)的軟件來說，更高的內(nèi)存頻率確實(shí)也會(huì)有更好的表現(xiàn)。但是，對于絕大多數(shù)玩家來說，8000MHz的內(nèi)存頻率已經(jīng)足夠滿足他們的使用需求了！值得一提的是，8000MHz頻率并不是我這套配置的終點(diǎn)，已經(jīng)購入此內(nèi)存套條的玩家也可以接著嘗試超頻。

總結(jié)：

佰維WOOKONG DX100 DDR5月光寶盒 6800MHz RGB內(nèi)存條是一款非常出色的內(nèi)存條，它的外觀設(shè)計(jì)精美、綺麗多姿的RGB幻彩燈效、散熱性能出色、性能表現(xiàn)優(yōu)異。如果您正在尋找一款高性能的DDR5內(nèi)存條，并且注重外觀和散熱性能，那么佰維WOOKONG DX100確實(shí)是一個(gè)非常不錯(cuò)的選擇！